为应对内存闪存降价，三星、SK海力士推迟产能扩张

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 来源：Samsung官网 

韩联社昨天报道称中国依然要依赖韩国公司的内存、闪存芯片供应，去年886亿美元的存储芯片进口中韩国公司就占了52.2%，遥遥领先其他公司。

在过去的两年中，三星、SK Hynix、美光、东芝等公司因为存储芯片大涨价获益良多，不过存储芯片涨价今年已经到头了，NAND闪存价格不断下降，DRAM内存价格预期Q4季度也会降价。

为了应对客户需求放缓导致的2019年上半年内存、闪存芯片降价，三星、SK Hynix两家韩国公司打算推迟产能扩张，暂停新工厂扩产计划。

市场研究机构援引业内人士的消息称三星、SK Hynix都打算推迟产能扩容计划，因为客户需求放缓导致DRAM内存及NAND闪存价格在2019年上半年下滑。

消息人士称，尽管这是传统旺季，全球NAND闪存在今年Q3季度中依然处于供过于求的状态。供应商持续增加64层及72层堆栈3D NAND闪存的产能，再加上已经饱和的笔记本、智能手机市场导致的需求增长放缓，这些都是导致NAND降价的原因。

此外，消息人士还提到市场上还充斥着不合格的NAND闪存芯片，这对闪存芯片价格进一步产生负面影响。Q3季度中NAND闪存价格可能会下跌10-15%，Q4季度中价格还会再降15%。

内存方面，DRAM合约价也出现了下跌迹象，消息人士称随着供过于求，预计Q4季度内存芯片价格也会开始下跌。

NAND闪存及DRAM内存价格将在2019年上半年遇到下行压力。

消息人士称，行业领导者三星之前主要为自家的SSD及其他产品供应3D NAND闪存，今年Q3季度开始对外提供存储芯片。消息称三星也在放慢3D NAND闪存产能扩张的计划，新产能不可能在2019年上半年上线。

此外，三星还被曝暂停在了韩国华城和平泽工厂为1ynm工艺的DRAM芯片增加新的产能的计划，原本三星计划在Q3季度增加每月3万片晶圆的产能。

消息人士称SK Hynix也计划放慢新的3D NAND芯片产能扩张的计划的步伐。

来源：超能网

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