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梦真梦真,梦想成真!

融媒体中心 华北水利水电大学 2024-04-29


她一路且行且歌

怀着对电子材料的一腔热爱

与求学于基础学科的毅力

追求卓越,永不止息

在上下求索的科研路上

朝着梦想前进

她就是

河南省研究生创新之星

电子工程学院硕士研究生胡梦真

接下来
和华仔一起了解一下
这位优秀的华水人
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胡梦真

电子工程学院硕士研究生,师从许磊教授,电子信息专业,研究方向为薄膜电子器件。

首届全国大学生等离子体科技创新竞赛一等奖



第二届全国大学生等离子体科技创新竞赛 三等奖

优秀生源奖学金、国家奖学金、连续三年获得一等学业奖学金



河南省研究生创新之星



✦华北水利水电大学优秀应届毕业生




热爱 创新 执着 拼搏
是胡梦真学习生涯的关键词
她一直坚持“找到自己的学习方式和节奏
在华仔问到
对研究生阶段的规划和未来的打算
她说
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首先我要明确读研的目的:学会找问题,学会解决问题,积累专业知识。研究生期间静下心来泡在实验室,集中注意力在实验结果上,有问题多思考,勤做总结,主动迈出论文的第一步。写第一篇文章的过程或许会很“艰难”,熬过了后续文章就很容易出了。研二下就可以明确未来是申博还是就业了,申博就要多发文章,就业时期多找实习来提升自己。






纸上得来终觉浅,绝知此事要躬行

深知实践对于工科生的重要性

胡梦真从研一开始静下心来泡实验室

她始终知道

做实验的过程是不断尝试和成长的过程

在一次又一次实验中

她面对过成功来临时的喜悦

也在失败来临时重新出发

她说

如果不能确定方向,那就去做吧

成长会慢慢到来

一次次的成功与失败

帮助她找到了自己的不足

也为她之后发表论文打下了坚实的基础



她发表论文6篇
其中SCI3篇
中文核心期刊2篇
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2022年

她在《Applied Surface Science》

(中科院一区top期刊,影响因子7.392)

上发表题为

“In-situ Ar Plasma Treatment as a Low Thermal Budget Technique for High Performance InGaSnO Thin Film Transistors Fabricated Using Magnetron Sputtering”

的论文



论文细则

该研究通过溅射和 Ar 等离子体处理,在 150℃ 的低温下制备出了高质量的 InGaSnO 薄膜晶体管。合理设计了 Ar 等离子体工艺避免了激活有源层性能常用的高温长时热退火(>400℃)步骤,既实现了简化工艺,又降低了工艺温度。


器件制备流程图及结构示意图


研究表明经过Ar等离子体处理表面改性的薄膜具有更高的平整光滑度和更小的均方根粗糙度,减弱了表面散射效应,有利于提高载流子迁移率,形成源漏电极和有源层之间更小的接触电阻,并且抑制了薄膜中的氧空位缺陷、增加了金属与氧的结合、形成更致密的 M-O-M 网络,从而优化 InGaSnO 薄膜晶体管器件性能。A r等离子体处理改善薄膜质量并提高了器件性能,表现出高场效应迁移率(30.83 cm2/Vs)较低的亚阈值摆幅(0.32V/decade),较小的阈值电压 (-0.54V),理想的电流开关比(3.28×107),其效果优于 300℃ 长时热退火。总体而言,原位 Ar 等离子体处理达到了高温退火的效用,扩展了薄膜晶体管在柔性电子材料产业的应用。


Ar等离子体处理前后 InGaSnO  薄膜晶体管的电学性能参数对比


InGaSnO 薄膜在不同 Ar 等离子体处理时间后表面形貌和粗糙度的变化


通过XPS表征不同处理下 InGaSnO 薄膜 O1s峰的组成变化


等离子体与热退火分别处理后 InGaSnO 器件的正负偏压应力测试


该论文主要由
薄膜电子器件团队许磊教授和宋增才老师指导
华北水利水电大学为唯一署名单位
该研究得到了国家自然科学基金的支持


论文DOI:

https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2022.154621

原文链接:

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0169433222021535#!



2023年

在自然指数(Nature Index)

期刊《Applied Physics Letters》上发表重要成果

论文题目为

“High mobility amorphous InSnO thin film transistors via low-temperature annealing”



论文细则

该工作仅在150℃的低温下退火,场效应迁移率为70.53 cm2/V s,亚阈值摆幅为0.25 V/decade,开/关电流比超过108,以及在负偏置应力下的合理阈值电压偏移。通过系统分析InSnO薄膜的结晶、表面形貌、化学价态和能带关系,研究了热退火对非晶InSnO TFT的影响。在室温下沉积的非晶态InSnO薄膜结构松散、稀疏多孔,较差的薄膜质量以及载流子散射导致低迁移率。



随着退火温度的升高,In和Sn金属阳离子被进一步氧化,增加了膜中的载流子浓度,并在150℃退火时形成了致密的M–O–M网络。随着退火温度的进一步升高,激发的大量自由电子使器件呈现出类似金属的导电性。本研究扩展了高电子浓度InSnO材料作为有源层的研究,并促进了非晶氧化物半导体在高迁移率和柔性TFT中的发展。



论文DOI:

https://doi.org/10.1063/5.0131595

期刊信息:《Applied Physics Letters》是电子器件和应用物理领域国际著名期刊,是自然指数首批收录期刊。自然指数是依托于全球顶级期刊(全球仅82种学术期刊入选),统计各国家高校或科研院所在国际上最具影响力的研究型学术期刊上发表论文数量的数据库。



与其曲谨,不如疏狂

她用这句话勉励自己不随波逐流

积极尝试和挑战新事物

多探索自己身上的可能性

她在面对课题上的难题时

经常和导师沟通

导师非常博学并且平易近人

每次和导师沟通都能受益匪浅

非常感谢导师对她的指导与帮助



热爱生活,做不被定义的自己

她告诉华仔

她压力大时会跟好朋友聊天倾诉

去操场跑步运动

在她看来

坚持体育锻炼能够在保持身体健康的同时放松压力

每次去操场跑步,能够让我短暂忘记烦恼

给灵魂带来快乐



作为华水榜样
她交上了研究生阶段的圆满答卷
对于未来
她也会有新的思考
下面和华仔一起来看看
  她给学弟学妹们分享的经验吧!

 作为创新之星可以给学弟学妹们分享做学术写论文的经验吗?
多读研究方向相关的顶刊论文,了解相关领域内的最新成果,是我们发现问题和找到新的突破点的过程,在阅读过程中一定要带着问题去读,充分激发灵感。我们要学会发现问题,解决问题,积累专业知识。研究生期间静下心来泡在实验室,集中注意力在实验结果上,有问题多思考,勤做总结,主动迈出论文的第一步。写第一篇文章的过程或许会很“艰难”,熬过了后续文章就很容易出了。

有想对学弟学妹们说的话吗?

立于皓月之边,不弱星光之势。祝愿学弟学妹们都能够有足够的勇气去做自己热爱的事情,找到自己的定位,活出自己的精彩。


不辜负时间 不辜负机会

怀着坦荡的赤子之心

探寻更为多样的人生

祝愿华水榜样胡梦真

在热爱中不断求索

继续做“有温度的研究”




- 华北水利水电大学融媒体中心出品 -


监制:樊要玲

责编:刘   冉编辑:赵 芳         刘心语校对:祝艺丹

审核:张耀文


投稿邮箱:NCWUhuazai@163.com -



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